MOSFET singoli Vishay, canale N 30 V, 0.0192 Ω Modalità di potenziamento, 3.4 A, 6 Pin, P, Montaggio superficiale
- Codice RS:
- 829-363
- Codice costruttore:
- SIA432BDJ-T1-GE3
- Costruttore:
- Vishay
Sconto per quantità disponibile
Visualizza le opzioni di prezzo per quantitàPrezzo per 1 unità*
0,80 €
(IVA esclusa)
0,98 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
Temporaneamente esaurito
- 6000 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità | Per unità |
|---|---|
| 1 - 9 | 0,80 € |
| 10 - 99 | 0,56 € |
| 100 - 499 | 0,35 € |
| 500 - 999 | 0,23 € |
| 1000 + | 0,16 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 829-363
- Codice costruttore:
- SIA432BDJ-T1-GE3
- Costruttore:
- Vishay
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Vishay | |
| Tipo di canale | N | |
| Tipo prodotto | MOSFET singoli | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 3.4A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 30V | |
| Tipo di package | P | |
| Serie | SI | |
| Tipo montaggio | Montaggio superficiale | |
| Numero pin | 6 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 0.0192Ω | |
| Modalità canale | Modalità di potenziamento | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 13nC | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 15.6W | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20V | |
| Tensione diretta Vf | 1.2V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Larghezza | 2.05mm | |
| Standard/Approvazioni | RoHS Compliant | |
| Altezza | 750μm | |
| Lunghezza | 2.05mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Vishay | ||
Tipo di canale N | ||
Tipo prodotto MOSFET singoli | ||
Massima corrente di scarico continua Id 3.4A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 30V | ||
Tipo di package P | ||
Serie SI | ||
Tipo montaggio Montaggio superficiale | ||
Numero pin 6 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 0.0192Ω | ||
Modalità canale Modalità di potenziamento | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 13nC | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 15.6W | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V | ||
Tensione diretta Vf 1.2V | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Larghezza 2.05mm | ||
Standard/Approvazioni RoHS Compliant | ||
Altezza 750μm | ||
Lunghezza 2.05mm | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- DE
Il MOSFET a canale N ad alte prestazioni di Vishay è progettato per una gestione efficiente dell'alimentazione in varie applicazioni. La sua struttura robusta consente un funzionamento affidabile in condizioni difficili.
La tensione drain-source di 30 V facilita una gamma di applicazioni versatile
La resistenza massima in stato attivo di 0,0192 Ohm a 10 V migliora l'efficienza energetica
Configurato come un unico dispositivo, ottimizzando spazio e prestazioni
Progettato con la tecnologia TrenchFET per capacità di commutazione superiori
Link consigliati
- MOSFET singoli Vishay 0.0192 Ω Modalità di potenziamento 8 Pin Montaggio superficiale
- MOSFET singoli Vishay 0.0192 Ω Modalità di potenziamento 8 Pin Montaggio superficiale
- MOSFET singoli Vishay 0.0192 Ω Modalità di potenziamento 6 Pin Montaggio superficiale
- MOSFET singoli Vishay 0.054 Ω Modalità di potenziamento 8 Pin Montaggio superficiale
- MOSFET singoli Vishay 0.00288 Ω Modalità di potenziamento 8 Pin Montaggio superficiale
- MOSFET singoli Vishay 0.0026 Ω Modalità di potenziamento 8 Pin Montaggio superficiale
- MOSFET singoli Vishay 0.0027 Ω Modalità di potenziamento 8 Pin Montaggio superficiale
- MOSFET singoli Vishay 0.0156 Ω Modalità di potenziamento 8 Pin Montaggio superficiale