MOSFET singoli Vishay, canale N 20 V, 0.200 Ω Modalità di potenziamento, 2.5 A, 6 Pin, TSOP-6, Montaggio superficiale

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Codice RS:
847-934
Codice costruttore:
SI3552BDV-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET singoli

Tipo di canale

N

Massima corrente di scarico continua Id

2.5A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

20V

Tipo di package

TSOP-6

Serie

TrenchFET

Tipo montaggio

Montaggio superficiale

Numero pin

6

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.200Ω

Modalità canale

Modalità di potenziamento

Dissipazione di potenza massima Pd

1.15W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

2.1nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1.1V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Altezza

1mm

Lunghezza

2.90mm

Standard/Approvazioni

RoHS3 Compliant

Larghezza

1.60mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
DE
Il MOSFET di potenza Vishay combina funzionalità a canale N e P per prestazioni efficienti in varie applicazioni. Questo dispositivo massimizza l'efficienza energetica mantenendo l'affidabilità in spazi compatti.

La tecnologia TrenchFET garantisce una bassa resistenza in stato attivo per una migliore efficienza

Offre una tensione massima drain-source di 30 V per il canale N e di -30 V per il canale P

Corrente di drenaggio continua nominale fino a 3,7 A per un funzionamento affidabile

I cavi sono privi di alogeni, promuovendo la sostenibilità ambientale

Dotato di un pacchetto TSOP-6 compatto per progetti salvaspazio

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