MOSFET Vishay, canale Canale P -20 V, 0.011 Ω Miglioramento, -136.7 A, 8 Pin, PowerPAK 1212-8S, Montaggio superficiale

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Codice RS:
735-204
Codice costruttore:
SISS5207DN-T1-UE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

Canale P

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

-136.7A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

-20V

Tipo di package

PowerPAK 1212-8S

Serie

TrenchFET

Tipo montaggio

Montaggio superficiale

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.011Ω

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

139nC

Dissipazione di potenza massima Pd

65.7W

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

RoHS Compliant

Lunghezza

3.4mm

Altezza

0.83mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN
Il MOSFET a canale P da 20 V di Vishay è progettato per una commutazione efficiente del carico nei progetti elettronici compatti. Combina prestazioni affidabili con conformità ecologica, garantendo un funzionamento sicuro e sostenibile. La sua capacità a bassa tensione lo rende ideale per le moderne applicazioni consumer e automobilistiche che richiedono soluzioni di commutazione affidabili.

Garantisce la conformità alla direttiva RoHS per la sicurezza ambientale

Struttura priva di alogeni per un utilizzo più sicuro

Offre idoneità per applicazioni con interruttori di carico

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