MOSFET Vishay, canale Canale N 40 V, 0.0017 Ω Miglioramento, 201.5 A, 8 Pin, PowerPAK SO-8, Montaggio superficiale

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Codice RS:
735-264
Codice costruttore:
SIR5402DP-T1-UE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

Canale N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

201.5A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Tipo di package

PowerPAK SO-8

Serie

TrenchFET

Tipo montaggio

Montaggio superficiale

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.0017Ω

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

82nC

Dissipazione di potenza massima Pd

92.5W

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

6.25mm

Altezza

1.12mm

Standard/Approvazioni

RoHS Compliant

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
IL
Il MOSFET a canale N di Vishay è progettato per la conversione e il controllo di potenza ad alta efficienza nei sistemi elettronici più impegnativi. Garantisce prestazioni robuste con test completi, mantenendo al contempo la conformità agli standard ambientali. La sua versatilità lo rende ideale per le applicazioni che richiedono una rettifica affidabile, soluzioni c. c./c. c. compatte e un controllo preciso dell'azionamento del motore.

Fornisce test Rg e UIS al 100% per una comprovata affidabilità

Garantisce la conformità alla direttiva RoHS per la sicurezza ambientale

Struttura priva di alogeni per un design ecologico

Supporta la rettifica sincrona per una conversione di potenza efficiente

Consente il controllo dell'azionamento del motore con prestazioni di commutazione affidabili

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