MOSFET Vishay, canale Canale P -20 V, 0.0018 Ω Miglioramento, -267 A, 8 Pin, PowerPAK SO-8, Superficie SIR5203DP-T1-UE3

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Codice RS:
735-200
Codice costruttore:
SIR5203DP-T1-UE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Canale P

Massima corrente di scarico continua Id

-267A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

-20V

Tipo di package

PowerPAK SO-8

Serie

TrenchFET

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.0018Ω

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

340nC

Dissipazione di potenza massima Pd

104.1W

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Larghezza

5.26mm

Altezza

1.12mm

Standard/Approvazioni

RoHS Compliant

Lunghezza

6.25mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN
Il MOSFET a canale P da 20 V di Vishay è progettato per una commutazione efficiente del carico nei progetti elettronici compatti. Combina prestazioni affidabili con conformità ecologica, garantendo un funzionamento sicuro e sostenibile. La sua capacità a bassa tensione lo rende ideale per le moderne applicazioni consumer e automobilistiche che richiedono soluzioni di commutazione affidabili.

Garantisce la conformità alla direttiva RoHS per la sicurezza ambientale

Struttura priva di alogeni per un utilizzo più sicuro

Offre idoneità per applicazioni con interruttori di carico

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