MOSFET Vishay, canale Tipo N 40 V, 0.00088 Ω Miglioramento, 100 A, 8 Pin, SO-8, Superficie SIR638ADP-T1-UE3

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
279-9958
Codice costruttore:
SIR638ADP-T1-UE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

100A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Serie

SiR

Tipo di package

SO-8

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.00088Ω

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

165nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

104W

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Lunghezza

5.15mm

Standard automobilistico

No

Il MOSFET Vishay è un MOSFET a canale N e il transistor in esso contenuto è realizzato in materiale noto come silicio.

MOSFET di potenza TrenchFET

Dispositivo completamente privo di piombo (Pb)

RDS molto basso x Qg cifra di merito

Testato al 100% Rg e UIS

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