MOSFET Vishay, canale N 100 V, 0.0036 Ω Miglioramento, 126 A, 8 Pin, PowerPAK SO-8, Superficie SIR510DP-T1-RE3

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Codice RS:
735-164
Codice costruttore:
SIR510DP-T1-RE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

N

Massima corrente di scarico continua Id

126A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Serie

SiR

Tipo di package

PowerPAK SO-8

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.0036Ω

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

54nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Tensione diretta Vf

100V

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

104W

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Lunghezza

7mm

Larghezza

6mm

Altezza

2mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN
Il MOSFET a canale N di Vishay è classificato per una tensione drain-source di 60 V, ottimizzato per la commutazione ad alta efficienza nei convertitori CC/CC per server di potenza AI e nei circuiti di rettifica sincrona. Raggiunge una resistenza di accensione molto bassa di 1,7 mΩ massimo a 10 V di gate drive per perdite di conduzione minime in applicazioni ad alta corrente

Corrente di drenaggio continua di 94 A a TA=25 °C

Carica totale gate tipica di 54,3 nC per una commutazione rapida

Intervallo di temperatura di giunzione esteso da -55 °C a +175 °C

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