MOSFET Vishay, canale Canale N 100 V, 0.0036 Ω Miglioramento, 126 A, 8 Pin, PowerPAK SO-8, Montaggio superficiale

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Codice RS:
735-164
Codice costruttore:
SiR510DP
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

Canale N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

126A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Tipo di package

PowerPAK SO-8

Serie

SiR

Tipo montaggio

Montaggio superficiale

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.0036Ω

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

104W

Tensione diretta Vf

100V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

54nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Altezza

2mm

Standard/Approvazioni

RoHS

Lunghezza

7mm

Larghezza

6mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN
Il MOSFET a canale N di Vishay è classificato per una tensione drain-source di 60 V, ottimizzato per la commutazione ad alta efficienza nei convertitori CC/CC per server di potenza AI e nei circuiti di rettifica sincrona. Raggiunge una resistenza di accensione molto bassa di 1,7 mΩ massimo a 10 V di gate drive per perdite di conduzione minime in applicazioni ad alta corrente

Corrente di drenaggio continua di 94 A a TA=25 °C

Carica totale gate tipica di 54,3 nC per una commutazione rapida

Intervallo di temperatura di giunzione esteso da -55 °C a +175 °C

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