MOSFET Vishay, canale Tipo N 40 V, 0.0023 Ω Miglioramento, 126 A, 4 Pin, PowerPAK SO-8L, Superficie SiJA54ADP-T1-GE3

Visualizza MOSFET

Prezzo per 1 bobina da 3000 unità*

1908,00 €

(IVA esclusa)

2328,00 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
In magazzino
  • Più 6000 unità in spedizione dal 06 gennaio 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per bobina*
3000 +0,636 €1.908,00 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
268-8322
Codice costruttore:
SiJA54ADP-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Vishay

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

126A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Tipo di package

PowerPAK SO-8L

Serie

SiJA

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

4

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.0023Ω

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

±20 V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

7nC

Dissipazione di potenza massima Pd

65.7W

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

5.13mm

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN
Il MOSFET di potenza TrenchFET di generazione 4 a canale N Vishay è un dispositivo senza piombo e alogeni. È dotato di cavi flessibili che forniscono resistenza alle sollecitazioni meccaniche. Viene utilizzato in un'applicazione come rettifica sincrona, inverter c.c. o c.a.

Ottimizza le caratteristiche di commutazione

Conformità ROHS

Test UIS al 100%

Link consigliati