MOSFET Vishay, canale Tipo N 100 V, 0.009 Ω Miglioramento, 56.7 A, 7 Pin, SO-8L, Superficie SIJ4108DP-T1-GE3

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
279-9934
Codice costruttore:
SIJ4108DP-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

56.7A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Serie

SIJ

Tipo di package

SO-8L

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

7

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.009Ω

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

69.4W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

40nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

5.13mm

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

No

Il MOSFET Vishay è un MOSFET a canale N e il transistor in esso contenuto è realizzato in materiale noto come silicio.

MOSFET di potenza TrenchFET

Dispositivo completamente privo di piombo (Pb)

RDS molto basso x Qg cifra di merito

Testato al 100% Rg e UIS

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