MOSFET Vishay, canale N 40 V, 0.0023 Ω Miglioramento, 126 A, 4 Pin, PowerPAK SO-8L, Superficie SiJA54ADP-T1-GE3

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
268-8323
Codice costruttore:
SiJA54ADP-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

126A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Tipo di package

PowerPAK SO-8L

Serie

SiJA

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

4

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.0023Ω

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

7nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Dissipazione di potenza massima Pd

65.7W

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Lunghezza

5.13mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN
Il MOSFET di potenza TrenchFET di generazione 4 a canale N Vishay è un dispositivo senza piombo e alogeni. È dotato di cavi flessibili che forniscono resistenza alle sollecitazioni meccaniche. Viene utilizzato in un'applicazione come rettifica sincrona, inverter c.c. o c.a.

Ottimizza le caratteristiche di commutazione

Conformità ROHS

Test UIS al 100%

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