MOSFET Vishay, canale Tipo N 100 V, 3.6 mΩ Miglioramento, 126 A, 8 Pin, SO-8, Superficie SiR510DP-T1-RE3

Visualizza MOSFET
Sconto per quantità disponibile

Prezzo per 1 confezione da 5 unità*

12,42 €

(IVA esclusa)

15,15 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
In magazzino
  • 5260 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per confezione*
5 - 452,484 €12,42 €
50 - 1202,234 €11,17 €
125 - 2451,988 €9,94 €
250 - 4951,814 €9,07 €
500 +1,564 €7,82 €

*prezzo indicativo

Opzioni di confezione:
Codice RS:
228-2904
Codice costruttore:
SiR510DP-T1-RE3
Costruttore:
Vishay
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

126A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Serie

TrenchFET

Tipo di package

SO-8

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

3.6mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

104W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

54nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Il TrenchFET Vishay a canale N è un MOSFET da 100 V.

Testato al 100% Rg e UIS

Link consigliati