MOSFET Vishay, canale N 100 V, 3.6 mΩ Miglioramento, 126 A, 8 Pin, SO-8, Superficie SiR510DP-T1-RE3

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
228-2904
Codice costruttore:
SiR510DP-T1-RE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

126A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Serie

TrenchFET

Tipo di package

SO-8

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

3.6mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

104W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

54nC

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Il TrenchFET Vishay a canale N è un MOSFET da 100 V.

Testato al 100% Rg e UIS

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