2 MOSFET Vishay Duale, canale Tipo N, 0.0045 Ω, 101 A 30 V, PowerPAK 1212, Superficie Miglioramento, 8 Pin
- Codice RS:
- 204-7259
- Codice costruttore:
- SISF06DN-T1-GE3
- Costruttore:
- Vishay
Prezzo per 1 bobina da 3000 unità*
1425,00 €
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Unità | Per unità | Per bobina* |
|---|---|---|
| 3000 + | 0,475 € | 1.425,00 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 204-7259
- Codice costruttore:
- SISF06DN-T1-GE3
- Costruttore:
- Vishay
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Vishay | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 101A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 30V | |
| Tipo di package | PowerPAK 1212 | |
| Serie | SiSF06DN | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 0.0045Ω | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20 V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 69.4W | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 30nC | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Configurazione transistor | Duale | |
| Larghezza | 3.3 mm | |
| Lunghezza | 3.3mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Altezza | 0.73mm | |
| Numero elementi per chip | 2 | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Vishay | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 101A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 30V | ||
Tipo di package PowerPAK 1212 | ||
Serie SiSF06DN | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 0.0045Ω | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20 V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 69.4W | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 30nC | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Configurazione transistor Duale | ||
Larghezza 3.3 mm | ||
Lunghezza 3.3mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Altezza 0.73mm | ||
Numero elementi per chip 2 | ||
Standard automobilistico No | ||
Il MOSFET a canale N doppio da 30 V (S1-S2) drain comune Vishay è un MOSFET a canale N a drain comune integrato in un contenitore compatto e termicamente avanzato.
Resistenza all'accensione molto bassa da sorgente a sorgente
MOSFET di potenza TrenchFET Gen IV
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