2 MOSFET Vishay Duale, canale N, 0.0045 Ω, 101 A 30 V, PowerPAK 1212, Superficie Miglioramento, 8 Pin SISF06DN-T1-GE3

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Codice RS:
204-7259
Codice costruttore:
SISF06DN-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

101A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Serie

SiSF06DN

Tipo di package

PowerPAK 1212

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.0045Ω

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

69.4W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

30nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Configurazione transistor

Duale

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Larghezza

3.3mm

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

3.3mm

Altezza

730μm

Numero elementi per chip

2

Standard automobilistico

No

Il MOSFET a canale N doppio da 30 V (S1-S2) drain comune Vishay è un MOSFET a canale N a drain comune integrato in un contenitore compatto e termicamente avanzato.

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