2 MOSFET Vishay Duale, canale Tipo N, 0.0045 Ω, 101 A 30 V, PowerPAK 1212, Superficie Miglioramento, 8 Pin

Visualizza MOSFET

Prezzo per 1 bobina da 3000 unità*

1617,00 €

(IVA esclusa)

1974,00 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Temporaneamente esaurito
  • Spedizione a partire dal 23 luglio 2027
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per bobina*
3000 +0,539 €1.617,00 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
204-7259
Codice costruttore:
SISF06DN-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

101A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Tipo di package

PowerPAK 1212

Serie

SiSF06DN

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.0045Ω

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

30nC

Dissipazione di potenza massima Pd

69.4W

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Configurazione transistor

Duale

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

3.3mm

Altezza

0.73mm

Numero elementi per chip

2

Standard automobilistico

No

Il MOSFET a canale N doppio da 30 V (S1-S2) drain comune Vishay è un MOSFET a canale N a drain comune integrato in un contenitore compatto e termicamente avanzato.

Resistenza all'accensione molto bassa da sorgente a sorgente

MOSFET di potenza TrenchFET Gen IV

Link consigliati

Rimani aggiornato sulle novità di prodotto e sulle nostre offerte!

Indirizzo email

I dati personali forniti saranno trattati in linea con la nostra Politica sulla Privacy.