MOSFET Vishay, canale Canale N 80 V, 0.0027 Ω Miglioramento, 146 A, 8 Pin, PowerPAK SO-8, Superficie SiR580DP

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Codice RS:
735-135
Codice costruttore:
SiR580DP
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Canale N

Massima corrente di scarico continua Id

146A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

80V

Serie

SiR

Tipo di package

PowerPAK SO-8

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.0027Ω

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

50.6nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Tensione diretta Vf

80V

Dissipazione di potenza massima Pd

104W

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Altezza

2mm

Larghezza

6mm

Lunghezza

7mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN
Il MOSFET di potenza a canale N di Vishay è classificato per una tensione drain-source di 80 V, ideale per la commutazione ad alta efficienza in applicazioni di server di potenza AI e convertitori CC/CC. Offre una resistenza di accensione ultrabassa di 2,7 mΩ massimo a un gate drive da 10 V per ridurre al minimo le perdite di conduzione sotto carichi pesanti.

Corrente di drenaggio continua 146 A a TC=25 °C

Carica totale massima del gate di 76 nC

Temperatura di giunzione di esercizio da -55 °C a +150 °C

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