MOSFET singoli Vishay, canale Tipo N 100 V, 0.160 Ω Miglioramento, 2.17 A, 3 Pin, PowerPAK, Superficie SI2122DS-T1-GE3

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Codice RS:
653-085
Codice costruttore:
SI2122DS-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET singoli

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

2.17A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Tipo di package

PowerPAK

Serie

SI2122DS

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.160Ω

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

1.2V

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

1.6W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

±20 V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

2.9nC

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN
Il transistor MOSFET a canale N Vishay è progettato per la commutazione compatta e ad alta efficienza in applicazioni a bassa potenza. Supporta fino a 100 V di tensione di scarico-sorgente. Confezionato in un formato SOT-23, utilizza la tecnologia TrenchFET Gen IV per un basso RDS(on), una commutazione rapida e prestazioni termiche efficienti in progetti con spazio ristretto.

Senza Pb

Prodotto privo di alogeni

Conforme alla direttiva RoHS

Utilizzato nella retroilluminazione a LED

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