MOSFET Vishay, canale Tipo N 30 V, 0.033 Ω Miglioramento, 6 A, 3 Pin, SOT-23, Superficie Si2338DS-T1-GE3

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
812-3126
Codice costruttore:
Si2338DS-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

6A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Tipo di package

SOT-23

Serie

Si2338DS

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.033Ω

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

2.5W

Tensione diretta Vf

1.2V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

±20 V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

4.2nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

3.04mm

Altezza

1.02mm

Larghezza

1.4 mm

Standard/Approvazioni

IEC 61249-2-21, RoHS 2002/95/EC

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN

MOSFET canale N, da 30V a 50V, Vishay Semiconductor


Transistor MOSFET, Vishay Semiconductor


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