MOSFET Vishay, canale Tipo P 30 V, 0.033 Ω, 10.6 A, 6 Pin, PowerPAK, Superficie
- Codice RS:
- 256-7404
- Codice costruttore:
- SIA483ADJ-T1-GE3
- Costruttore:
- Vishay
Prezzo per 1 bobina da 3000 unità*
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Unità | Per unità | Per bobina* |
|---|---|---|
| 3000 + | 0,131 € | 393,00 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 256-7404
- Codice costruttore:
- SIA483ADJ-T1-GE3
- Costruttore:
- Vishay
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Vishay | |
| Tipo di canale | Tipo P | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 10.6A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 30V | |
| Tipo di package | PowerPAK | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 6 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 0.033Ω | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 17.9W | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Altezza | 0.8mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Vishay | ||
Tipo di canale Tipo P | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 10.6A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 30V | ||
Tipo di package PowerPAK | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 6 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 0.033Ω | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 17.9W | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Altezza 0.8mm | ||
Standard automobilistico No | ||
Il mosfet iTime a canale P da 30 V (D-S) di Vishay Semiconductor è un contenitore powerPAK SC-70 con potenziamento termico che fornisce un'eccellente cifra di merito RDS-Qg (FOM)
per le applicazioni di commutazione, carica e gestione della batteria, interruttore di carico, convertitori c.c., c.c., gestione dell'alimentazione in dispositivi a batteria, mobili e indossabili.
MOSFET potenza canale P gen IV TrenchFET
Fornisce un'eccellente cifra di merito RDS-Qg
Per applicazioni di commutazione
Testato al 100% Rg
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