MOSFET di potenza Vishay, canale Tipo N 100 V, 0.033 Ω Miglioramento, 28 A, 8 Pin, PowerPAK 1212-8, Superficie

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Codice RS:
165-6981
Codice costruttore:
SIS892ADN-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET di potenza

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

28A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Serie

SiS892ADN

Tipo di package

PowerPAK 1212-8

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.033Ω

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

6.1nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

±20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

52W

Tensione diretta Vf

0.8V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

3.4mm

Standard/Approvazioni

RoHS

Larghezza

3.4 mm

Altezza

1.12mm

Standard automobilistico

No

MOSFET canale N, da 100V a 150V, Vishay Semiconductor


Transistor MOSFET, Vishay Semiconductor


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