MOSFET singoli Vishay, canale Tipo N 70 V, 0.0135 Ω Miglioramento, 45.3 A, 8 Pin, PowerPAK, Superficie

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Codice RS:
653-102
Codice costruttore:
SISS178LDN-T1-UE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET singoli

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

45.3A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

70V

Serie

SISS178LDN

Tipo di package

PowerPAK

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.0135Ω

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

±20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

39W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

8.7nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN
Il MOSFET di potenza a canale N Gen IV TrenchFET Vishay è progettato per una tensione di scarico-sorgente di 70 V. Confezionato in un PowerPAK 1212-8S compatto, è ideale per le soluzioni di alimentazione dei server AI, i convertitori c.c./c.c. e la commutazione del carico.

Senza Pb

Prodotto privo di alogeni

Conforme alla direttiva RoHS

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