MOSFET singoli Vishay, canale Tipo N 70 V, 0.0125 Ω Miglioramento, 42.3 A, 8 Pin, PowerPAK, Superficie SISS176LDN-T1-UE3

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Codice RS:
653-099
Codice costruttore:
SISS176LDN-T1-UE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET singoli

Massima corrente di scarico continua Id

42.3A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

70V

Serie

SISS176LDN

Tipo di package

PowerPAK

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.0125Ω

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

±12 V

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

9.2nC

Dissipazione di potenza massima Pd

39W

Tensione diretta Vf

1.1V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Larghezza

3.30 mm

Lunghezza

3.30mm

Altezza

0.41mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN
Il MOSFET di potenza a canale N Gen IV TrenchFET Vishay ha una tensione di scarico-sorgente di 70 V e una corrente di scarico continua di 42,3 A. È dotato di un contenitore compatto PowerPAK 1212-8S per montaggio superficiale, il che lo rende ideale per i convertitori c.c./c.c., la rettifica sincrona, il controllo del motore e la commutazione del carico.

Senza Pb

Prodotto privo di alogeni

Conforme alla direttiva RoHS

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