MOSFET Vishay, canale Tipo P 60 V, 0.007 Ω Miglioramento, 90.9 A, 8 Pin, PowerPAK, Superficie SIR5607DP-T1-UE3

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Codice RS:
653-196
Codice costruttore:
SIR5607DP-T1-UE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo P

Massima corrente di scarico continua Id

90.9A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Tipo di package

PowerPAK

Serie

SIR5607DP

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.007Ω

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

104W

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

31.7nC

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Larghezza

5.26 mm

Altezza

1.12mm

Lunghezza

6.25mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN
Il MOSFET a canale P Vishay è progettato per la commutazione efficiente in sistemi di alimentazione compatti. Supporta una tensione di sorgente di scarico fino a 60 V ed è alloggiata in un contenitore PowerPAK SO-8. Costruito utilizzando la tecnologia TrenchFET Gen V, offre un RDS(on) molto basso, che riduce al minimo la caduta di tensione e le perdite di conduzione.

Senza Pb

Senza alogeni

Conformità alla direttiva RoHS

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