MOSFET Vishay, canale N 45 V, 0.0012 Ω Miglioramento, 208 A, 8 Pin, PowerPAK, Montaggio superficiale SIR608DP-T1-UE3
- Codice RS:
- 904-977
- Codice costruttore:
- SIR608DP-T1-UE3
- Costruttore:
- Vishay
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- Codice RS:
- 904-977
- Codice costruttore:
- SIR608DP-T1-UE3
- Costruttore:
- Vishay
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Vishay | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 208A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 45V | |
| Serie | TrenchFET | |
| Tipo di package | PowerPAK | |
| Tipo montaggio | Montaggio superficiale | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 0.0012Ω | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 104W | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 50.5nC | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20V | |
| Tensione diretta Vf | 1.1V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Standard/Approvazioni | ROHS | |
| Larghezza | 5.15mm | |
| Lunghezza | 6.15mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Vishay | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 208A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 45V | ||
Serie TrenchFET | ||
Tipo di package PowerPAK | ||
Tipo montaggio Montaggio superficiale | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 0.0012Ω | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 104W | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 50.5nC | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V | ||
Tensione diretta Vf 1.1V | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Standard/Approvazioni ROHS | ||
Larghezza 5.15mm | ||
Lunghezza 6.15mm | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- IL
Il MOSFET di potenza Vishay è progettato per prestazioni efficienti in applicazioni ad alta potenza, offrendo una gestione affidabile della tensione drain-source e della corrente. Svolge un ruolo cruciale nel migliorare l'efficienza energetica nei sistemi elettronici.
Design a canale N per ottimizzare la conduttività e le prestazioni
La tensione nominale massima drain-source di 45 V garantisce un funzionamento robusto
La bassa resistenza in stato attivo migliora l'efficienza energetica e le prestazioni termiche
Integrato con classificazione a valanga per proteggere contro picchi di tensione eccessivi