MOSFET Vishay, canale N 45 V, 0.0012 Ω Miglioramento, 208 A, 8 Pin, PowerPAK, Montaggio superficiale SIR608DP-T1-BE3

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Codice RS:
904-976
Codice costruttore:
SIR608DP-T1-BE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

208A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

45V

Serie

TrenchFET

Tipo di package

PowerPAK

Tipo montaggio

Montaggio superficiale

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.0012Ω

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

50.5nC

Tensione diretta Vf

1.1V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Dissipazione di potenza massima Pd

104W

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

6.15mm

Standard/Approvazioni

ROHS

Larghezza

5.15mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
IL
Il MOSFET di potenza Vishay è progettato per fornire una commutazione efficiente e un'elevata densità di potenza. Con un robusto profilo prestazionale, è dotato di una bassa resistenza in stato attivo, garantendo un funzionamento ottimale nelle applicazioni di convertitori CC/CC.

Il design TrenchFET Gen IV garantisce un'eccellente efficienza

Tensione di interruzione drain-source di 45 V per prestazioni affidabili

Bassa resistenza in stato attivo nominale di 0,00120 Ohm a 10 V

Corrente di drenaggio continua robusta di 208 A a 25 °C

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