MOSFET Vishay, canale Canale N 80 V, 0.0028 Ω Miglioramento, 130 A, 8 Pin, PowerPAK SO-8, Superficie SIR680LDP-T1-BE3

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Codice RS:
736-348
Codice costruttore:
SIR680LDP-T1-BE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

Canale N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

130A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

80V

Tipo di package

PowerPAK SO-8

Serie

SIR680LDP

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.0028Ω

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

104W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

40nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1.1V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

6.15mm

Standard/Approvazioni

RoHS

Larghezza

5.15mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
IL
Il MOSFET a canale N di Vishay è progettato per la gestione dell'alimentazione ad alta efficienza in varie applicazioni. Funziona in modo efficiente a 80 V ed eccelle nelle attività di rettifica sincrona e commutazione dell'azionamento del motore.

Dispone di una tecnologia trenchFET Gen IV per una maggiore efficienza energetica

Visualizza un RDS(on) molto basso di 0,0028 Ω a 10 V, garantendo perdite di conduzione minime

Valore nominale per una corrente di drenaggio continua di 130 A, il che lo rende adatto per le applicazioni più impegnative

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