MOSFET di potenza Vishay, canale Canale N 80 V, 0.0029 Ω N, 40 A, 8 Pin, PowerPAK, Montaggio superficiale
- Codice RS:
- 851-502
- Codice costruttore:
- SIR178DP-T1-BE3
- Costruttore:
- Vishay
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- Codice RS:
- 851-502
- Codice costruttore:
- SIR178DP-T1-BE3
- Costruttore:
- Vishay
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Vishay | |
| Tipo prodotto | MOSFET di potenza | |
| Tipo di canale | Canale N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 40A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 80V | |
| Serie | TrenchFET | |
| Tipo di package | PowerPAK | |
| Tipo montaggio | Montaggio superficiale | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 0.0029Ω | |
| Modalità canale | N | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 375W | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 69.5nC | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Lunghezza | 6.05mm | |
| Altezza | 1.04mm | |
| Standard/Approvazioni | AEC-Q101 Qualified | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Vishay | ||
Tipo prodotto MOSFET di potenza | ||
Tipo di canale Canale N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 40A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 80V | ||
Serie TrenchFET | ||
Tipo di package PowerPAK | ||
Tipo montaggio Montaggio superficiale | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 0.0029Ω | ||
Modalità canale N | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 375W | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 69.5nC | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Lunghezza 6.05mm | ||
Altezza 1.04mm | ||
Standard/Approvazioni AEC-Q101 Qualified | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
- Paese di origine:
- TW
Il MOSFET di potenza a canale N ad alte prestazioni di Vishay è progettato per una gestione efficiente dell'energia. La sua funzione principale è quella di ottimizzare la conduzione con una bassa perdita di potenza, il che lo rende adatto per varie applicazioni di potenza.
La tecnologia TrenchFET Gen IV garantisce prestazioni superiori
La resistenza in stato attivo estremamente bassa riduce al minimo le perdite di conduzione
Supporta l'azionamento del gate a bassa tensione per una maggiore efficienza
Completamente testato per l'affidabilità in condizioni R e UIS
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