MOSFET di potenza Vishay, canale N 70 V, 0.0125 Ω N, 42.3 A, 8 Pin, PowerPAK, Montaggio superficiale SISS176LDN-T1-BE3

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Codice RS:
851-508
Codice costruttore:
SISS176LDN-T1-BE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET di potenza

Tipo di canale

N

Massima corrente di scarico continua Id

42.3A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

70V

Serie

TrenchFET

Tipo di package

PowerPAK

Tipo montaggio

Montaggio superficiale

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.0125Ω

Modalità canale

N

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

12.6nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

12V

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

39W

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Larghezza

5.25mm

Lunghezza

6.05mm

Standard/Approvazioni

AEC-Q101 Qualified

Altezza

1.04mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

Paese di origine:
IL
Il MOSFET a canale N di Vishay offre un'elevata efficienza nella gestione dell'alimentazione, con una struttura robusta che supporta varie esigenze elettriche in applicazioni elettroniche avanzate.

La tecnologia TrenchFET Gen IV migliora le prestazioni

L'R DS(on) molto basso a varie tensioni di gate garantisce l'efficienza

I test completi garantiscono l'affidabilità del funzionamento

La composizione senza piombo (Pb) e senza alogeni si allinea agli standard ambientali

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