MOSFET di potenza Vishay, canale Canale N 70 V, 0.0125 Ω N, 42.3 A, 8 Pin, PowerPAK, Montaggio superficiale
- Codice RS:
- 851-508
- Codice costruttore:
- SISS176LDN-T1-BE3
- Costruttore:
- Vishay
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- Codice RS:
- 851-508
- Codice costruttore:
- SISS176LDN-T1-BE3
- Costruttore:
- Vishay
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Vishay | |
| Tipo di canale | Canale N | |
| Tipo prodotto | MOSFET di potenza | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 42.3A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 70V | |
| Serie | TrenchFET | |
| Tipo di package | PowerPAK | |
| Tipo montaggio | Montaggio superficiale | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 0.0125Ω | |
| Modalità canale | N | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 39W | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 12V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 12.6nC | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Standard/Approvazioni | AEC-Q101 Qualified | |
| Larghezza | 5.25mm | |
| Lunghezza | 6.05mm | |
| Altezza | 1.04mm | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Vishay | ||
Tipo di canale Canale N | ||
Tipo prodotto MOSFET di potenza | ||
Massima corrente di scarico continua Id 42.3A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 70V | ||
Serie TrenchFET | ||
Tipo di package PowerPAK | ||
Tipo montaggio Montaggio superficiale | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 0.0125Ω | ||
Modalità canale N | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 39W | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 12V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 12.6nC | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Standard/Approvazioni AEC-Q101 Qualified | ||
Larghezza 5.25mm | ||
Lunghezza 6.05mm | ||
Altezza 1.04mm | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
- Paese di origine:
- IL
Il MOSFET a canale N di Vishay offre un'elevata efficienza nella gestione dell'alimentazione, con una struttura robusta che supporta varie esigenze elettriche in applicazioni elettroniche avanzate.
La tecnologia TrenchFET Gen IV migliora le prestazioni
L'R DS(on) molto basso a varie tensioni di gate garantisce l'efficienza
I test completi garantiscono l'affidabilità del funzionamento
La composizione senza piombo (Pb) e senza alogeni si allinea agli standard ambientali
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