MOSFET di potenza Vishay, canale Canale N 70 V, 0.013 Ω N, 45.3 A, 8 Pin, PowerPAK, Montaggio superficiale

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Codice RS:
851-509
Codice costruttore:
SISS178LDN-T1-BE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET di potenza

Tipo di canale

Canale N

Massima corrente di scarico continua Id

45.3A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

70V

Tipo di package

PowerPAK

Serie

TrenchFET

Tipo montaggio

Montaggio superficiale

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.013Ω

Modalità canale

N

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

18.7nC

Dissipazione di potenza massima Pd

39W

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Lunghezza

6.05mm

Altezza

1.04mm

Standard/Approvazioni

AEC-Q101 Qualified

Standard automobilistico

AEC-Q101

Paese di origine:
IL
Il MOSFET a canale N di Vishay offre un'elevata efficienza nella gestione dell'alimentazione, con una struttura robusta che supporta varie esigenze elettriche in applicazioni elettroniche avanzate.

Valore nominale per una tensione drain-source di 70 V, garantendo prestazioni affidabili in diverse applicazioni

Presenta una bassa resistenza in stato attivo con un massimo di 0,0109 Ω a 4,5 V, migliorando l'efficienza energetica

Progettato per gestire correnti di drenaggio continue fino a 42,3 A, supportando operazioni ad alta potenza

Incorpora una potenza nominale a valanga a impulsi singoli di 15 A, proteggendo contro i transitori di tensione

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