MOSFET di potenza Vishay, canale N 250 V, 0.067 Ω N, 20 A, 8 Pin, PowerPAK, Montaggio superficiale SIR692DP-T1-BE3

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Codice RS:
851-504
Codice costruttore:
SIR692DP-T1-BE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET di potenza

Massima corrente di scarico continua Id

20A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

250V

Serie

TrenchFET

Tipo di package

PowerPAK

Tipo montaggio

Montaggio superficiale

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.067Ω

Modalità canale

N

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

104W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

25.3nC

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

AEC-Q101 Qualified

Altezza

1.04mm

Lunghezza

6.05mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

Paese di origine:
DE
Il MOSFET ad alte prestazioni di Vishay è progettato per una gestione efficiente dell'alimentazione in vari sistemi elettronici, garantendo affidabilità e precisione nelle applicazioni di commutazione.

Utilizza la tecnologia ThunderFET per un bilanciamento ottimale di RDS(on), Qg, Qsw e Qoss

Testato al 100% Rg e UIS garantito per una maggiore affidabilità

Supporta una tensione massima drain-source di 250 V

La resistenza di accensione minima di 0,063 Ω a VGS di 10 V garantisce una bassa perdita di potenza

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