MOSFET di potenza Vishay, canale Canale N 250 V, 0.067 Ω N, 20 A, 8 Pin, PowerPAK, Montaggio superficiale

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Codice RS:
851-504
Codice costruttore:
SIR692DP-T1-BE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET di potenza

Tipo di canale

Canale N

Massima corrente di scarico continua Id

20A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

250V

Tipo di package

PowerPAK

Serie

TrenchFET

Tipo montaggio

Montaggio superficiale

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.067Ω

Modalità canale

N

Dissipazione di potenza massima Pd

104W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

25.3nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

AEC-Q101 Qualified

Lunghezza

6.05mm

Altezza

1.04mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

Paese di origine:
DE
Il MOSFET ad alte prestazioni di Vishay è progettato per una gestione efficiente dell'alimentazione in vari sistemi elettronici, garantendo affidabilità e precisione nelle applicazioni di commutazione.

Utilizza la tecnologia ThunderFET per un bilanciamento ottimale di RDS(on), Qg, Qsw e Qoss

Testato al 100% Rg e UIS garantito per una maggiore affidabilità

Supporta una tensione massima drain-source di 250 V

La resistenza di accensione minima di 0,063 Ω a VGS di 10 V garantisce una bassa perdita di potenza

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