MOSFET di potenza Vishay, canale Canale N -20 V, 0.024 Ω P, -8 A, 8 Pin, PowerPAK, Montaggio superficiale

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Codice RS:
851-500
Codice costruttore:
SI3493DDV-T1-BE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET di potenza

Tipo di canale

Canale N

Massima corrente di scarico continua Id

-8A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

-20V

Tipo di package

PowerPAK

Serie

SI34

Tipo montaggio

Montaggio superficiale

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.024Ω

Modalità canale

P

Dissipazione di potenza massima Pd

375W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

52.2nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Lunghezza

6.05mm

Larghezza

5.25mm

Standard/Approvazioni

AEC-Q101 Qualified

Altezza

1.04mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

Paese di origine:
DE
Il MOSFET a canale P ad alte prestazioni di Vishay è progettato per consentire applicazioni di commutazione di potenza efficienti. Le sue capacità garantiscono un funzionamento affidabile in intervalli di tensione e corrente variabili.

Il MOSFET a canale P funziona efficacemente a -20 V con una bassa resistenza in stato attivo

In grado di gestire correnti di drenaggio a impulsi fino a -32 A per le applicazioni più impegnative

I valori nominali di corrente di drenaggio continuo di -7,5 A a 25 °C facilitano la gestione termica

Tolleranza di tensione gate-source di ±8 V per una maggiore durata in diversi circuiti

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