MOSFET di potenza Vishay, canale N 60 V, 0.0048 Ω N, 100 A, 8 Pin, PowerPAK, Montaggio superficiale SIR692DP-T1-UE3

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Codice RS:
851-506
Codice costruttore:
SIR692DP-T1-UE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET di potenza

Tipo di canale

N

Massima corrente di scarico continua Id

100A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Tipo di package

PowerPAK

Serie

TrenchFET

Tipo montaggio

Montaggio superficiale

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.0048Ω

Modalità canale

N

Dissipazione di potenza massima Pd

104W

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

63.5nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Lunghezza

6.05mm

Standard/Approvazioni

AEC-Q101 Qualified

Altezza

1.04mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

Paese di origine:
DE
Il MOSFET ad alte prestazioni di Vishay è progettato per garantire capacità di commutazione efficienti nelle applicazioni di gestione dell'alimentazione. La sua struttura robusta garantisce affidabilità e funzionalità ottimale in vari ambienti difficili.

Configurazione a canale N che garantisce un'efficienza operativa superiore

La tecnologia ThunderFET migliora le prestazioni ottimizzando l'equilibrio tra resistenza all'accensione e caratteristiche di commutazione

Offre una tensione massima drain-source di 250 V, garantendo l'idoneità per le applicazioni ad alta tensione

Progettato con una corrente di drenaggio continua massima di 24,2 A, per adattarsi a condizioni di carico estese

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