MOSFET di potenza Vishay, canale Canale N 80 V, 0.0029 Ω N, 40 A, 8 Pin, PowerPAK, Montaggio superficiale

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Codice RS:
851-503
Codice costruttore:
SIR178DP-T1-UE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET di potenza

Tipo di canale

Canale N

Massima corrente di scarico continua Id

40A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

80V

Tipo di package

PowerPAK

Serie

TrenchFET

Tipo montaggio

Montaggio superficiale

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.0029Ω

Modalità canale

N

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

69.5nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

375W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Lunghezza

6.05mm

Altezza

1.04mm

Larghezza

5.25mm

Standard/Approvazioni

AEC-Q101 Qualified

Standard automobilistico

AEC-Q101

Paese di origine:
TW
Il MOSFET a canale N di Vishay è progettato per fornire una gestione efficiente dell'alimentazione in varie applicazioni. Il contenitore Compact PowerPAK SO-8 garantisce affidabilità e prestazioni, il che lo rende una scelta versatile per l'elettronica moderna.

Dispone della tecnologia TrenchFET Gen IV per una maggiore efficienza

Offre una resistenza di accensione molto bassa per ridurre la perdita di potenza

Progettato per il funzionamento con azionamento gate a bassa tensione a 2,5 V

testato al 100% per R e UIS per garantire qualità e affidabilità

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