MOSFET di potenza Vishay, canale Canale N 80 V, 0.0029 Ω N, 40 A, 8 Pin, SO-8, Montaggio superficiale SIDR178DP-T1-RE3

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Codice RS:
851-501
Codice costruttore:
SIDR178DP-T1-RE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET di potenza

Tipo di canale

Canale N

Massima corrente di scarico continua Id

40A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

80V

Serie

TrenchFET

Tipo di package

SO-8

Tipo montaggio

Montaggio superficiale

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.0029Ω

Modalità canale

N

Minima temperatura operativa

55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

105nC

Dissipazione di potenza massima Pd

375W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

AEC-Q101 Qualified

Altezza

1.04mm

Larghezza

5.25mm

Lunghezza

6.05mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

Paese di origine:
TW
Il MOSFET a canale N ad alte prestazioni di Vishay è progettato per consentire applicazioni di commutazione di potenza efficienti. Le sue capacità garantiscono un funzionamento affidabile in intervalli di tensione e corrente variabili.

La tecnologia TrenchFET garantisce una bassa resistenza in stato attivo e un'elevata efficienza

Il raffreddamento sul lato superiore migliora le capacità di trasferimento termico

La struttura senza piombo e senza alogeni supporta la conformità ambientale

Completamente testato per l'affidabilità con test R e UIS al 100%

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