MOSFET Vishay, canale N 150 V, 11.5 mΩ, 59.7 A, 8 Pin, SO-8, Superficie SIR572DP-T1-RE3

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
225-9928
Codice costruttore:
SIR572DP-T1-RE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

59.7A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

150V

Tipo di package

SO-8

Serie

N-Channel 150 V

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

11.5mΩ

Tensione diretta Vf

1.1V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

54nC

Dissipazione di potenza massima Pd

92.5W

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Larghezza

1.12mm

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

6.25mm

Altezza

5.26mm

Standard automobilistico

No

Vishay Siliconix mantiene i dati di affidabilità per la tecnologia dei semiconduttori e l'affidabilità del contenitore rappresentano un composito di tutte le posizioni qualificate.

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