MOSFET Vishay, canale Tipo N 150 V, 11.5 mΩ, 59.7 A, 8 Pin, SO-8, Superficie SIR572DP-T1-RE3
- Codice RS:
- 225-9928
- Codice costruttore:
- SIR572DP-T1-RE3
- Costruttore:
- Vishay
Sconto per quantità disponibile
Prezzo per 1 confezione da 5 unità*
12,73 €
(IVA esclusa)
15,53 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
In uscita dal catalogo
- 930 unità ancora disponibili, pronte per la spedizione da un'altra sede.
Unità | Per unità | Per confezione* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 2,546 € | 12,73 € |
| 50 - 120 | 2,422 € | 12,11 € |
| 125 - 245 | 2,038 € | 10,19 € |
| 250 - 495 | 1,912 € | 9,56 € |
| 500 + | 1,784 € | 8,92 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 225-9928
- Codice costruttore:
- SIR572DP-T1-RE3
- Costruttore:
- Vishay
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Vishay | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 59.7A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 150V | |
| Serie | N-Channel 150 V | |
| Tipo di package | SO-8 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 11.5mΩ | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20 V | |
| Tensione diretta Vf | 1.1V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 92.5W | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 54nC | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Larghezza | 1.12 mm | |
| Lunghezza | 6.25mm | |
| Altezza | 5.26mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Vishay | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 59.7A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 150V | ||
Serie N-Channel 150 V | ||
Tipo di package SO-8 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 11.5mΩ | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20 V | ||
Tensione diretta Vf 1.1V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 92.5W | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 54nC | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Larghezza 1.12 mm | ||
Lunghezza 6.25mm | ||
Altezza 5.26mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Standard automobilistico No | ||
Vishay Siliconix mantiene i dati di affidabilità per la tecnologia dei semiconduttori e l'affidabilità del contenitore rappresentano un composito di tutte le posizioni qualificate.
MOSFET di potenza TrenchFET Gen IV
RDS molto bassa x figura di merito Qg (FOM)
Sintonizzati per la minima RDS x Qoss FOM
Testato al 100% Rg e UIS
Link consigliati
- MOSFET Vishay 11.5 mΩ 8 Pin Superficie
- MOSFET Vishay 10 mΩ 8 Pin Superficie SiR578DP-T1-RE3
- MOSFET Vishay 41 mΩ Miglioramento 8 Pin Superficie SIR632DP-T1-RE3
- MOSFET Vishay 7.9 mΩ Miglioramento 8 Pin Superficie SiR570DP-T1-RE3
- MOSFET Vishay 0.0315 Ω Miglioramento 8 Pin Superficie SIR5710DP-T1-RE3
- MOSFET Vishay 0.023 Ω Miglioramento 8 Pin Superficie SIR5708DP-T1-RE3
- MOSFET Vishay 10 mΩ 8 Pin Superficie
- MOSFET Vishay 4 mΩ 8 Pin Superficie SIR5802DP-T1-RE3
