MOSFET Vishay, canale Tipo N 150 V, 11.5 mΩ, 59.7 A, 8 Pin, SO-8, Superficie SIR572DP-T1-RE3

Visualizza MOSFET
Sconto per quantità disponibile

Prezzo per 1 confezione da 5 unità*

13,38 €

(IVA esclusa)

16,325 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Ultimi pezzi su RS
  • 930 unità ancora disponibili, pronte per la spedizione da un'altra sede.

Unità
Per unità
Per confezione*
5 - 452,676 €13,38 €
50 - 1202,544 €12,72 €
125 - 2452,14 €10,70 €
250 - 4952,008 €10,04 €
500 +1,874 €9,37 €

*prezzo indicativo

Opzioni di confezione:
Codice RS:
225-9928
Codice costruttore:
SIR572DP-T1-RE3
Costruttore:
Vishay
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

59.7A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

150V

Tipo di package

SO-8

Serie

N-Channel 150 V

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

11.5mΩ

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

54nC

Dissipazione di potenza massima Pd

92.5W

Tensione diretta Vf

1.1V

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Altezza

5.26mm

Lunghezza

6.25mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Vishay Siliconix mantiene i dati di affidabilità per la tecnologia dei semiconduttori e l'affidabilità del contenitore rappresentano un composito di tutte le posizioni qualificate.

MOSFET di potenza TrenchFET Gen IV

RDS molto bassa x figura di merito Qg (FOM)

Sintonizzati per la minima RDS x Qoss FOM

Testato al 100% Rg e UIS

Link consigliati

Rimani aggiornato sulle novità di prodotto e sulle nostre offerte!

Indirizzo email

I dati personali forniti saranno trattati in linea con la nostra Politica sulla Privacy.