- Codice RS:
- 134-9723
- Codice costruttore:
- SIR632DP-T1-RE3
- Costruttore:
- Vishay
Prodotto non a stock - in consegna appena disponibile
Prezzo per 1pz in confezione da 5
1,172 €
(IVA esclusa)
1,43 €
(IVA inclusa)
Unità | Per unità | Per confezione* |
---|---|---|
5 - 45 | 1,172 € | 5,86 € |
50 - 120 | 1,10 € | 5,50 € |
125 - 245 | 0,996 € | 4,98 € |
250 - 495 | 0,938 € | 4,69 € |
500 + | 0,876 € | 4,38 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 134-9723
- Codice costruttore:
- SIR632DP-T1-RE3
- Costruttore:
- Vishay
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
MOSFET canale N, TrenchFET fino a Gen III, Vishay Semiconductor
Transistor MOSFET, Vishay Semiconductor
Specifiche
Attributo | Valore |
---|---|
Tipo di canale | N |
Corrente massima continuativa di drain | 29 A |
Tensione massima drain source | 150 V |
Tipo di package | PowerPAK SO-8 |
Tipo di montaggio | Montaggio superficiale |
Numero pin | 8 |
Resistenza massima drain source | 41 mΩ |
Modalità del canale | Enhancement |
Tensione di soglia gate massima | 4V |
Tensione di soglia gate minima | 2V |
Dissipazione di potenza massima | 69,5 W |
Configurazione transistor | Singolo |
Tensione massima gate source | -20 V, +20 V |
Larghezza | 5.26mm |
Carica gate tipica @ Vgs | 14 nC a 10 V |
Massima temperatura operativa | +150 °C |
Lunghezza | 6.25mm |
Numero di elementi per chip | 1 |
Minima temperatura operativa | -55 °C |
Tensione diretta del diodo | 1.1V |
Altezza | 1.12mm |
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