MOSFET Vishay, canale N, 41 mΩ, 29 A, PowerPAK SO-8, Montaggio superficiale

Codice RS:: 134-9159
Codice costruttore:: SIR632DP-T1-RE3
Costruttore:: Vishay

MOSFET Vishay, canale N, 41 mΩ, 29 A, PowerPAK SO-8, Montaggio superficiale

Prodotto non a stock - in consegna appena disponibile

Prezzo per Unità (Su Bobina da 3000)

0,469 €

(IVA esclusa)

0,572 €

(IVA inclusa)

Unità	Per unità	Per bobina*
3000 +	0,469 €	1.407,00 €

*prezzo indicativo

Codice RS:: 134-9159
Codice costruttore:: SIR632DP-T1-RE3
Costruttore:: Vishay

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

MOSFET canale N, TrenchFET fino a Gen III, Vishay Semiconductor

Transistor MOSFET, Vishay Semiconductor

Specifiche

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	29 A
Tensione massima drain source	150 V
Tipo di package	PowerPAK SO-8
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	8
Resistenza massima drain source	41 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	4V
Tensione di soglia gate minima	2V
Dissipazione di potenza massima	69,5 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Numero di elementi per chip	1
Larghezza	5.26mm
Lunghezza	6.25mm
Carica gate tipica @ Vgs	14 nC a 10 V
Massima temperatura operativa	+150 °C
Altezza	1.12mm
Minima temperatura operativa	-55 °C
Tensione diretta del diodo	1.1V