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    MOSFET Vishay, canale N, 41 mΩ, 29 A, PowerPAK SO-8, Montaggio superficiale

    Prodotto non a stock - in consegna appena disponibile
    Unità

    Prezzo per Unità (Su Bobina da 3000)

    0,469 €

    (IVA esclusa)

    0,572 €

    (IVA inclusa)

    Unità
    Per unità
    Per bobina*
    3000 +0,469 €1.407,00 €

    *prezzo indicativo

    Codice RS:
    134-9159
    Codice costruttore:
    SIR632DP-T1-RE3
    Costruttore:
    Vishay

    Attributo
    Valore
    Tipo di canaleN
    Corrente massima continuativa di drain29 A
    Tensione massima drain source150 V
    Tipo di packagePowerPAK SO-8
    Tipo di montaggioMontaggio superficiale
    Numero pin8
    Resistenza massima drain source41 mΩ
    Modalità del canaleEnhancement
    Tensione di soglia gate massima4V
    Tensione di soglia gate minima2V
    Dissipazione di potenza massima69,5 W
    Configurazione transistorSingolo
    Tensione massima gate source-20 V, +20 V
    Numero di elementi per chip1
    Larghezza5.26mm
    Lunghezza6.25mm
    Carica gate tipica @ Vgs14 nC a 10 V
    Massima temperatura operativa+150 °C
    Altezza1.12mm
    Minima temperatura operativa-55 °C
    Tensione diretta del diodo1.1V

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