MOSFET Vishay, canale N 150 V, 41 mΩ Miglioramento, 29 A, 8 Pin, SO-8, Superficie SIR632DP-T1-RE3

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Codice RS:
134-9159
Codice costruttore:
SIR632DP-T1-RE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

29A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

150V

Serie

SiR632DP

Tipo di package

SO-8

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

41mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

14nC

Dissipazione di potenza massima Pd

69.5W

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

-1.2V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

-20V, +20V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

5.26mm

Lunghezza

6.25mm

Altezza

1.12mm

Standard automobilistico

No

MOSFET canale N, TrenchFET fino a Gen III, Vishay Semiconductor


Transistor MOSFET, Vishay Semiconductor


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