MOSFET Vishay, canale N, 0,004 Ω, 137,5 A, PowerPak SO-8, Montaggio superficiale

Codice RS:: 225-9932
Codice costruttore:: SIR5802DP-T1-RE3
Costruttore:: Vishay

MOSFET Vishay, canale N, 0,004 Ω, 137,5 A, PowerPak SO-8, Montaggio superficiale

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Unità	Per unità	Per confezione**
5 - 45	1,67 €	8,35 €
50 - 120	1,504 €	7,52 €
125 - 245	1,336 €	6,68 €
250 - 495	1,252 €	6,26 €
500 +	1,17 €	5,85 €

**prezzo indicativo

Codice RS:: 225-9932
Codice costruttore:: SIR5802DP-T1-RE3
Costruttore:: Vishay

Datasheet - SIR5802DP-T1-RE3

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	137,5 A
Tensione massima drain source	80 V
Tipo di package	PowerPak SO-8
Serie	N-Channel 80 V
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	8
Resistenza massima drain source	0,004 Ω
Tensione di soglia gate massima	4V
Numero di elementi per chip	1

MOSFET Vishay, canale N, 0,004 Ω, 137,5 A, PowerPak SO-8, Montaggio superficiale

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