MOSFET Vishay, canale Tipo N 80 V, 4 mΩ, 137.5 A, 8 Pin, SO-8, Superficie SIR5802DP-T1-RE3

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
225-9932
Codice costruttore:
SIR5802DP-T1-RE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

137.5A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

80V

Tipo di package

SO-8

Serie

N-Channel 80 V

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

4mΩ

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

104W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

60nC

Tensione diretta Vf

1.1V

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Altezza

5.26mm

Larghezza

1.12 mm

Lunghezza

6.25mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

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