MOSFET Vishay, canale Tipo P 80 V, 11.2 mΩ Miglioramento, 71.9 A, 8 Pin, SO-8, Superficie SiR681DP-T1-RE3

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
228-2910
Codice costruttore:
SiR681DP-T1-RE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo P

Massima corrente di scarico continua Id

71.9A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

80V

Tipo di package

SO-8

Serie

TrenchFET

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

11.2mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

104W

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

69.4nC

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Il canale P TrenchFET Vishay è un MOSFET da 80 V.

Testato al 100% Rg e UIS

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