MOSFET Vishay, canale Tipo P 60 V, 0.007 Ω Miglioramento, 90.9 A, 8 Pin, SO-8, Superficie SIR5607DP-T1-RE3

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Codice RS:
279-9950
Codice costruttore:
SIR5607DP-T1-RE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo P

Massima corrente di scarico continua Id

90.9A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Tipo di package

SO-8

Serie

SiR

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.007Ω

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

104W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

±20 V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

112nC

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

5.15mm

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

No

Il MOSFET Vishay è un MOSFET a canale P e il transistor in esso contenuto è realizzato in materiale noto come silicio.

MOSFET di potenza TrenchFET

Testato al 100% Rg e UIS

Meno caduta di tensione

Riduce la perdita di conduzione

Dispositivo completamente privo di piombo (Pb)

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