MOSFET Vishay, canale Tipo N 80 V, 6.5 mΩ Miglioramento, 70.6 A, 8 Pin, SO-8, Superficie SiR880BDP-T1-RE3

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
228-2914
Codice costruttore:
SiR880BDP-T1-RE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

70.6A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

80V

Tipo di package

SO-8

Serie

TrenchFET

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

6.5mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

71.4W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

43.5nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Il TrenchFET Vishay a canale N è un MOSFET da 80 V.

Testato al 100% Rg e UIS

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