MOSFET Vishay, canale Tipo N 30 V, 0.0012 Ω Miglioramento, 162 A, 8 Pin, 1212-8S, Superficie SISS52DN-T1-UE3

Visualizza MOSFET
Sconto per quantità disponibile

Prezzo per 1 confezione da 5 unità*

5,51 €

(IVA esclusa)

6,72 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
In magazzino
  • 6000 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per confezione*
5 - 451,102 €5,51 €
50 - 950,996 €4,98 €
100 - 2450,888 €4,44 €
250 - 9950,874 €4,37 €
1000 +0,854 €4,27 €

*prezzo indicativo

Opzioni di confezione:
Codice RS:
279-9999
Codice costruttore:
SISS52DN-T1-UE3
Costruttore:
Vishay
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

162A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Serie

SISS

Tipo di package

1212-8S

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.0012Ω

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

±20 V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

65nC

Dissipazione di potenza massima Pd

57W

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Lunghezza

3.3mm

Standard automobilistico

No

Il MOSFET Vishay è un MOSFET a canale N e il transistor in esso contenuto è realizzato in materiale noto come silicio.

MOSFET di potenza TrenchFET

Dispositivo completamente privo di piombo (Pb)

RDS molto basso x Qg cifra di merito

Testato al 100% Rg e UIS

Link consigliati