MOSFET DiodesZetex, canale N, 335 mΩ, 1,3 A, SOT-363, Montaggio superficiale

Codice RS:: 122-3313
Codice costruttore:: DMN3190LDW-7
Costruttore:: DiodesZetex

MOSFET DiodesZetex, canale N, 335 mΩ, 1,3 A, SOT-363, Montaggio superficiale

Prezzo per Unità (Su Bobina da 3000)**

0,059 €

(IVA esclusa)

0,072 €

(IVA inclusa)

3000 disponibile per la consegna entro 1 - 2 giorni lavorativi per ordini pervenuti entro le 19:00 (magazzini in Europa). Accedi e verifica i tempi di consegna nel carrello*

* Le date di consegna possono variare in base alla quantità selezionata e all'indirizzo di consegna.

Consegna GRATUITA per ordini superiori a € 100,00

Clicca qui per verificare la disponibilità

Unità	Per unità	Per bobina**
3000 +	0,059 €	177,00 €

**prezzo indicativo

Codice RS:: 122-3313
Codice costruttore:: DMN3190LDW-7
Costruttore:: DiodesZetex

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	1,3 A
Tensione massima drain source	30 V
Tipo di package	SOT-363
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	6
Resistenza massima drain source	335 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	2.8V
Dissipazione di potenza massima	400 mW
Configurazione transistor	Isolato
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Massima temperatura operativa	+150 °C
Larghezza	1.35mm
Materiale del transistor	Si
Lunghezza	2.2mm
Numero di elementi per chip	2
Carica gate tipica @ Vgs	2 nC @ 10 V
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	1mm

MOSFET DiodesZetex, canale N, 335 mΩ, 1,3 A, SOT-363, Montaggio superficiale

Consegna GRATUITA per ordini superiori a € 100,00

MOSFET doppio a canale N, Diodes Inc.

Link consigliati