MOSFET DiodesZetex, canale N, 335 mΩ, 1,3 A, SOT-363, Montaggio superficiale

Codice RS:: 122-3313
Codice costruttore:: DMN3190LDW-7
Costruttore:: DiodesZetex

MOSFET DiodesZetex, canale N, 335 mΩ, 1,3 A, SOT-363, Montaggio superficiale

Prezzo per Unità (Su Bobina da 3000)**

0,074 €

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Unità	Per unità	Per bobina**
3000 +	0,074 €	222,00 €

**prezzo indicativo

Codice RS:: 122-3313
Codice costruttore:: DMN3190LDW-7
Costruttore:: DiodesZetex

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	1,3 A
Tensione massima drain source	30 V
Tipo di package	SOT-363
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	6
Resistenza massima drain source	335 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	2.8V
Dissipazione di potenza massima	400 mW
Configurazione transistor	Isolato
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Larghezza	1.35mm
Numero di elementi per chip	2
Lunghezza	2.2mm
Materiale del transistor	Si
Carica gate tipica @ Vgs	2 nC @ 10 V
Massima temperatura operativa	+150 °C
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	1mm

MOSFET DiodesZetex, canale N, 335 mΩ, 1,3 A, SOT-363, Montaggio superficiale

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MOSFET doppio a canale N, Diodes Inc.

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