2 MOSFET di potenza DiodesZetex Tipo isolato, canale Tipo N, 335 mΩ, 1.3 A 30 V, SC-88, Superficie Miglioramento, 6 Pin

Prezzo per 1 bobina da 3000 unità*

216,00 €

(IVA esclusa)

264,00 €

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Per bobina*
3000 +0,072 €216,00 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
122-3313
Codice costruttore:
DMN3190LDW-7
Costruttore:
DiodesZetex
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Marchio

DiodesZetex

Tipo prodotto

MOSFET di potenza

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

1.3A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Tipo di package

SC-88

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

6

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

335mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

150°C

Dissipazione di potenza massima Pd

400mW

Tensione diretta Vf

1.2V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

0.9nC

Configurazione transistor

Tipo isolato

Temperatura massima di funzionamento

-55°C

Altezza

1mm

Standard/Approvazioni

J-STD-020, MIL-STD-202, RoHS, UL 94V-0, AEC-Q101

Lunghezza

2.2mm

Numero elementi per chip

2

Standard automobilistico

AEC-Q200, AEC-Q100, AEC-Q101

Paese di origine:
CN

MOSFET doppio a canale N, Diodes Inc.


Transistor MOSFET, Diodes Inc.


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