2 MOSFET di potenza DiodesZetex Tipo isolato, canale Tipo N, 335 mΩ, 1.3 A 30 V, SC-88, Superficie Miglioramento, 6 Pin

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
827-0480
Codice costruttore:
DMN3190LDW-7
Costruttore:
DiodesZetex
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Marchio

DiodesZetex

Tipo prodotto

MOSFET di potenza

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

1.3A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Tipo di package

SC-88

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

6

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

335mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

0.9nC

Dissipazione di potenza massima Pd

400mW

Tensione diretta Vf

1.2V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Minima temperatura operativa

150°C

Temperatura massima di funzionamento

-55°C

Configurazione transistor

Tipo isolato

Standard/Approvazioni

J-STD-020, MIL-STD-202, RoHS, UL 94V-0, AEC-Q101

Altezza

1mm

Larghezza

1.35 mm

Lunghezza

2.2mm

Numero elementi per chip

2

Standard automobilistico

AEC-Q200, AEC-Q100, AEC-Q101

MOSFET doppio a canale N, Diodes Inc.


Transistor MOSFET, Diodes Inc.


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