2 MOSFET di potenza DiodesZetex Tipo isolato, canale Tipo N, 13 Ω, 260 mA 30 V, SC-88, Superficie Miglioramento, 6 Pin

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Codice RS:
165-8844
Codice costruttore:
DMN63D8LDW-7
Costruttore:
DiodesZetex
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Marchio

DiodesZetex

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET di potenza

Massima corrente di scarico continua Id

260mA

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Tipo di package

SC-88

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

6

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

13Ω

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

0.4nC

Minima temperatura operativa

150°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

400mW

Tensione diretta Vf

0.8V

Temperatura massima di funzionamento

-55°C

Configurazione transistor

Tipo isolato

Altezza

1mm

Larghezza

1.35 mm

Standard/Approvazioni

UL 94V-0, J-STD-020, MIL-STD-202, RoHS, AEC-Q101

Lunghezza

2.2mm

Numero elementi per chip

2

Standard automobilistico

AEC-Q101

Paese di origine:
CN

MOSFET doppio a canale N, Diodes Inc.


Transistor MOSFET, Diodes Inc.


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