MOSFET DiodesZetex, canale N, P, 2 Ω, 900 mΩ, 430 mA, 540 mA, SOT-363, Montaggio superficiale

Codice RS:: 751-4054
Codice costruttore:: DMC2004DWK-7
Costruttore:: DiodesZetex

MOSFET DiodesZetex, canale N, P, 2 Ω, 900 mΩ, 430 mA, 540 mA, SOT-363, Montaggio superficiale

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Codice RS:: 751-4054
Codice costruttore:: DMC2004DWK-7
Costruttore:: DiodesZetex

Complementary Pair Enhancement Mode Field Effect Transistor
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N, P
Corrente massima continuativa di drain	430 mA, 540 mA
Tensione massima drain source	20 V
Tipo di package	SOT-363
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	6
Resistenza massima drain source	2 Ω, 900 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	1V
Dissipazione di potenza massima	250 mW
Configurazione transistor	Isolato
Tensione massima gate source	-8 V, +8 V
Massima temperatura operativa	+150 °C
Larghezza	1.35mm
Materiale del transistor	Si
Numero di elementi per chip	2
Lunghezza	2.2mm
Altezza	1mm
Minima temperatura operativa	-65 °C

MOSFET DiodesZetex, canale N, P, 2 Ω, 900 mΩ, 430 mA, 540 mA, SOT-363, Montaggio superficiale

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MOSFET doppio a canale N/P, Diodes Inc.

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