MOSFET DiodesZetex, canale N, 900 mΩ, 540 mA, SOT-26, Montaggio superficiale

Codice RS:: 122-3248
Codice costruttore:: DMN2004DMK-7
Costruttore:: DiodesZetex

MOSFET DiodesZetex, canale N, 900 mΩ, 540 mA, SOT-26, Montaggio superficiale

Prezzo per Unità (Su Bobina da 3000)**

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Unità	Per unità	Per bobina**
3000 +	0,124 €	372,00 €

**prezzo indicativo

Codice RS:: 122-3248
Codice costruttore:: DMN2004DMK-7
Costruttore:: DiodesZetex

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	540 mA
Tensione massima drain source	20 V
Tipo di package	SOT-26
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	6
Resistenza massima drain source	900 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	1V
Dissipazione di potenza massima	225 mW
Configurazione transistor	Isolato
Tensione massima gate source	+8 V
Massima temperatura operativa	+150 °C
Numero di elementi per chip	2
Materiale del transistor	Si
Lunghezza	3.1mm
Larghezza	1.7mm
Altezza	1.3mm
Minima temperatura operativa	-65 °C

MOSFET DiodesZetex, canale N, 900 mΩ, 540 mA, SOT-26, Montaggio superficiale

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MOSFET doppio a canale N, Diodes Inc.

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