2 MOSFET di potenza DiodesZetex Tipo isolato, canale Tipo N, 4 Ω, 580 mA 60 V, SM, Superficie Miglioramento, 6 Pin

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Codice RS:
122-3250
Codice costruttore:
DMN601DMK-7
Costruttore:
DiodesZetex
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Marchio

DiodesZetex

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET di potenza

Massima corrente di scarico continua Id

580mA

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Tipo di package

SM

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

6

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

4Ω

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

0.8V

Dissipazione di potenza massima Pd

980mW

Minima temperatura operativa

150°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

304nC

Configurazione transistor

Tipo isolato

Temperatura massima di funzionamento

-55°C

Standard/Approvazioni

J-STD-020, MIL-STD-202, RoHS, AEC-Q101, UL 94V-0

Altezza

1.3mm

Lunghezza

3.1mm

Numero elementi per chip

2

Standard automobilistico

AEC-Q200, AEC-Q101, AEC-Q100

Paese di origine:
CN

MOSFET doppio a canale N, Diodes Inc.


Transistor MOSFET, Diodes Inc.


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