MOSFET DiodesZetex, canale P, 900 mΩ, 900 mA, SOT-23, Montaggio superficiale

Codice RS:: 154-942
Codice costruttore:: ZXM61P02FTA
Costruttore:: DiodesZetex

MOSFET DiodesZetex, canale P, 900 mΩ, 900 mA, SOT-23, Montaggio superficiale

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Codice RS:: 154-942
Codice costruttore:: ZXM61P02FTA
Costruttore:: DiodesZetex

ZXM61P02F 20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Data Sheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	P
Corrente massima continuativa di drain	900 mA
Tensione massima drain source	20 V
Tipo di package	SOT-23
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	900 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	1.5V
Dissipazione di potenza massima	806 mW
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-12 V, +12 V
Larghezza	1.4mm
Lunghezza	3.05mm
Numero di elementi per chip	1
Carica gate tipica @ Vgs	3,5 nC a 4,5 V
Massima temperatura operativa	+150 °C
Materiale del transistor	Si
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	1mm

MOSFET DiodesZetex, canale P, 900 mΩ, 900 mA, SOT-23, Montaggio superficiale

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MOSFET a canale P, da 12 V a 25 V, Diodes Inc

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