MOSFET DiodesZetex, canale Tipo N 30 V, 730 mΩ Miglioramento, 900 mA, 3 Pin, SOT-23, Superficie
- Codice RS:
- 206-0087
- Codice costruttore:
- DMN3731U-7
- Costruttore:
- DiodesZetex
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- Codice RS:
- 206-0087
- Codice costruttore:
- DMN3731U-7
- Costruttore:
- DiodesZetex
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | DiodesZetex | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 900mA | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 30V | |
| Tipo di package | SOT-23 | |
| Serie | DMN3731 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 730mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 5.5nC | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 0.4W | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 8V | |
| Tensione diretta Vf | 1.2V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Altezza | 0.9mm | |
| Lunghezza | 2.3mm | |
| Larghezza | 2.8mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio DiodesZetex | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 900mA | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 30V | ||
Tipo di package SOT-23 | ||
Serie DMN3731 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 730mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 5.5nC | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 0.4W | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 8V | ||
Tensione diretta Vf 1.2V | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Altezza 0.9mm | ||
Lunghezza 2.3mm | ||
Larghezza 2.8mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
- Paese di origine:
- CN
Il MOSFET in modalità potenziata a canale N DiodesZetex 30V è progettato per ridurre al minimo la resistenza in stato attivo pur mantenendo eccellenti prestazioni di commutazione, il che lo rende ideale per applicazioni di gestione dell'alimentazione ad alta efficienza. La sua tensione gate-sorgente è di 8 V con dissipazione di potenza termica di 0,4 W.
Bassa VGS(TH), può essere azionata direttamente da una batteria
Gate con protezione ESD
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