MOSFET DiodesZetex, canale Tipo N 20 V, 450 mΩ Miglioramento, 900 mA, 3 Pin, SOT-323, Superficie

Sconto per quantità disponibile

Prezzo per 1 bobina da 3000 unità*

99,00 €

(IVA esclusa)

120,00 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Temporaneamente esaurito
  • Spedizione a partire dal 27 luglio 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per bobina*
3000 - 60000,033 €99,00 €
9000 - 420000,028 €84,00 €
45000 +0,027 €81,00 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
222-2834
Codice costruttore:
DMN2710UWQ-7
Costruttore:
DiodesZetex
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

DiodesZetex

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

900mA

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

20V

Tipo di package

SOT-323

Serie

DMN

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

450mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

6 V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

0.6nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

0.6W

Tensione diretta Vf

1.2V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

2.2mm

Altezza

1.1mm

Larghezza

1.35 mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

Il MOSFET in modalità potenziata a canale N DiodesZetex è progettato per ridurre la resistenza in stato attivo (RDS(ON)) e allo stesso tempo mantenere eccellenti prestazioni di commutazione, il che lo rende ideale per applicazioni di gestione dell'alimentazione ad alta efficienza.

Bassa resistenza in stato attivo

Bassa capacità d'ingresso

Elevata velocità di commutazione

Completamente senza piombo e completamente conforme alla direttiva RoHS

Link consigliati