MOSFET DiodesZetex, canale Tipo N 20 V, 450 mΩ Miglioramento, 900 mA, 3 Pin, SOT-323, Superficie DMN2710UWQ-7
- Codice RS:
- 222-2835
- Codice costruttore:
- DMN2710UWQ-7
- Costruttore:
- DiodesZetex
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*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 222-2835
- Codice costruttore:
- DMN2710UWQ-7
- Costruttore:
- DiodesZetex
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | DiodesZetex | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 900mA | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 20V | |
| Serie | DMN | |
| Tipo di package | SOT-323 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 450mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 0.6nC | |
| Tensione diretta Vf | 1.2V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 0.6W | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 6 V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Altezza | 1.1mm | |
| Lunghezza | 2.2mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Larghezza | 1.35 mm | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio DiodesZetex | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 900mA | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 20V | ||
Serie DMN | ||
Tipo di package SOT-323 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 450mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 0.6nC | ||
Tensione diretta Vf 1.2V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 0.6W | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 6 V | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Altezza 1.1mm | ||
Lunghezza 2.2mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Larghezza 1.35 mm | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
Il MOSFET in modalità potenziata a canale N DiodesZetex è progettato per ridurre la resistenza in stato attivo (RDS(ON)) e allo stesso tempo mantenere eccellenti prestazioni di commutazione, il che lo rende ideale per applicazioni di gestione dell'alimentazione ad alta efficienza.
Bassa resistenza in stato attivo
Bassa capacità d'ingresso
Elevata velocità di commutazione
Completamente senza piombo e completamente conforme alla direttiva RoHS
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