MOSFET DiodesZetex, canale Tipo N 20 V, 450 mΩ Miglioramento, 950 mA, 3 Pin, SOT-323, Superficie

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Codice RS:
222-2824
Codice costruttore:
DMG1012UWQ-7
Costruttore:
DiodesZetex
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Marchio

DiodesZetex

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

950mA

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

20V

Tipo di package

SOT-323

Serie

DMG1012UWQ

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

450mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

6 V

Dissipazione di potenza massima Pd

0.29W

Tensione diretta Vf

1.2V

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

2.2mm

Standard/Approvazioni

No

Altezza

1.1mm

Larghezza

1.35 mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

Il MOSFET in modalità potenziata a canale N DiodesZetex è progettato per ridurre la resistenza in stato attivo (RDS(ON)) e allo stesso tempo mantenere eccellenti prestazioni di commutazione, il che lo rende ideale per applicazioni di gestione dell'alimentazione ad alta efficienza.

Bassa resistenza in stato attivo

Bassa tensione di soglia del gate

Bassa capacità d'ingresso

Elevata velocità di commutazione

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